在摩爾定律逐漸逼近物理極限的今天，先進封裝技術(shù)已成為延續(xù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。從 Chiplet異構(gòu)集成到3D-IC堆疊，技術(shù)創(chuàng)新不斷推動著電子設(shè)備向更高性能、更小尺寸、更低功耗邁進。然而，工藝復(fù)雜度的指數(shù)級增長，也為制造過程中的質(zhì)量檢測帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。
行業(yè)挑戰(zhàn)
從傳統(tǒng)封裝到先進封裝，AOI檢測設(shè)備的應(yīng)用場景不斷拓展，市場需求持續(xù)增長。晶圓級封裝、2.5D/3D集成等技術(shù)的復(fù)雜性與精度需求日益提升，對檢測設(shè)備提出了更高的要求。傳統(tǒng)檢測手段難以兼顧高效率與高精度，尤其在面對Bumping、晶圓切割和RDL等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，往往力不從心。如何在同一平臺上實現(xiàn)快速、精準且全面的缺陷發(fā)現(xiàn)與測量，成為行業(yè)亟待突破的痛點。
面對先進封裝市場的技術(shù)挑戰(zhàn)，華屹超精密推出的Athena HS4500先進封裝AOI檢測設(shè)備應(yīng)運而生。Athena HS4500專為先進封裝市場設(shè)計，創(chuàng)新性地將EFEM、2D視覺、3D視覺、AI模塊整合于同一平臺，實現(xiàn)了2D和3D檢測與測量的一體化解決方案，在保證極高檢測性能的同時顯著提升了檢測效率。
產(chǎn)品亮點
1、晶圓缺陷全捕捉
涵蓋裸晶圓及切割后晶圓等多種狀態(tài)，對各類常見缺陷進行有效識別。
2、Bump檢測零死角
支持多種Bump類型，實現(xiàn)高度與共面度的精準檢測和測量。
3、RDL 精細化檢測
可對 RDL CD、高度及表面缺陷進行檢測，支持最小2x2μm L/S。
主要指標
?兼容板級@510mm*515mm、晶圓級@6"、8"、12"
?0.1-1.5mm來料厚度
多模態(tài)光學方案
Athena HS4500 搭載創(chuàng)新的多模態(tài)光學系統(tǒng)，為不同檢測需求提供最優(yōu)解決方案：
l2D 檢測系統(tǒng)
?采用明場+暗場雙光路成像技術(shù)
?明場成像：提供清晰的表面形貌信息，實現(xiàn)精確的尺寸測量和形狀分析
?暗場成像：凸顯微細劃痕、顆粒污染等微弱缺陷，大幅提升缺陷發(fā)現(xiàn)能力
?雙模式協(xié)同工作，實現(xiàn)對表面缺陷的全方位捕捉和精準分類
l3D 量測系統(tǒng)
?集成白光干涉（WLI）和共聚焦（CFM）雙測量模式
?白光干涉技術(shù)：實現(xiàn)大范圍的快速掃描，適用于 bump 高度、共面性等宏觀參數(shù)測量
?共聚焦技術(shù)：完成高精度的微觀形貌測量，分辨率可達納米級別
?兩種技術(shù)無縫切換，滿足從宏觀到微觀的不同量測需求
lIR 檢測系統(tǒng)
?能夠?qū)崿F(xiàn)隱裂檢測和背部缺陷識別
?支持三維堆疊結(jié)構(gòu)的內(nèi)部缺陷檢測
?解決傳統(tǒng)檢測設(shè)備“看得見表面、看不見內(nèi)部”的痛點
在當前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局深刻變革的背景下，先進封裝技術(shù)正成為推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵突破點。隨著制程工藝不斷逼近物理極限，異構(gòu)集成、芯片let等新技術(shù)路徑對檢測設(shè)備提出了更高要求——不僅需要納米級的檢測精度，更需要實現(xiàn)多維度、全流程的質(zhì)量監(jiān)控能力。
面對這一歷史性機遇，華屹超精密將繼續(xù)深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域，以技術(shù)創(chuàng)新為產(chǎn)業(yè)賦能。同時，我們將積極與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)協(xié)同創(chuàng)新，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供堅實支撐。
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